报告题目:InN超导单光子探测器、拓扑材料中的线性磁阻

报告人：康亭亭 研究员（中国科学院上海技术物理研究所）

报告时间：2023年9月15日下午13:00-14:00

报告地点：理A110

摘要：基于半导体的超导单光子探测器能够与探测器的半导体读出电路实现低失配的集成。本次报告主要介绍基于III-V半导体InN（氮化铟）的超导单光子探测器。通过研究InN一维结构中的量子相位移(quantum phase-slip)，发现InN具有很大的超导相干长度（~10 微米）和较强的一维超导性。还介绍了研究人员在节线型(nodal line) 拓扑半金属ZrGeSe中的巨线性磁阻（GLMR，giant linear magnetoresistance）的工作。

报告人简介：康亭亭，中国科学院上海技术物理研究所研究员，中科院百人计划。主要研究方向：氮化物半导体的生长、器件、物理；极低温、强磁场下的量子材料的物性、光电测量；中远红外探测器。