报告题目:兼容CMOS硅基发光材料理论设计及发光机制

报告人：骆军委教授

报告时间：下午2:30

报告地点：理B007会议室

题目：兼容CMOS硅基发光材料理论设计及发光机制
报告人：骆军委教授，中国科学院半导体所半导体超晶格国家重点实验室副主任
时间：23日（周三）下午2:30
地点：理B007会议室

报告人简介：骆军委，中国科学院半导体研究所研究员，半导体超晶格国家重点实验室副主任兼计算材料和器件研究组长，入选中组部“青年千人计划”。2006年毕业于中国科学院半导体研究所，师从李树深院士，获得理学博士学位。2007年至2014年在美国可再生能源国家实验室分别担任博士后、Scientist, Senior Scientist。2014年2月受聘于中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。一直从事半导体物理与器件物理研究，尤其是聚焦半导体微电子和光电子信息技术中的关键科学问题，系统研究了硅量子点发光机制和经典半导体中的自旋轨道耦合机制，取得多项原创性研究成果，为解决硅芯片上集成光源的世界难题设计出硅基高效发光材料，在国际 上首先发现隐藏自旋极化效应，开辟了隐藏物理(hidden physics)的研究方向。研究成果获得国际同行的广泛关注。至今已发表论文60余篇，包括2篇nature physics、1篇nature nanotechnology、1篇nature materials、1篇nature comm和6篇PRL等，其中回国4年来以第一作者和/或通信作者发表1篇nature nanotechnology、2篇PRL、1篇JACS、1篇IEDM会议、2篇Nano Lett和2篇PRB等。在APS、ACS、E-MRS、ICSNN、JSAP-MRS等重要国际会议上作邀请报告或担任分会主席。